Разделы

Поиск

Рассылка

E-Mail

Литий - диоксидмарганцевые элементы (CR)

Литиевые элементы Li/MnO2 с твердым катодом из диоксида марганца появились на рынке первичных химических элементов одни из первых.

Напряжение разомкнутой цепи элемента  около 3,5 В. Номинальное напряжение около 3 В., хотя первоначальное напряжение при подключении нагрузки может быть и несколько выше.

Рабочий диапазон температур обычно от – 20 до +55 С°

Срок хранения около 10 лет, при саморазряде 1% в год (и не более 2,5%).

Удельные энергетические характеристики достаточно высокие – около 250 Втч/кг (500 Втч/дм3).

Однако эти элементы не рассчитаны на токи более 1 мА и используются обычно при нагрузках в десятки кОм . В идеале разрядный ток не должен превышать  100 мкА

Выпускаются литий- марганцевые элементы дискового или цилиндрического типа. Согласно стандарту МЭК обозначаются буквами CR.

Для дисковых элементов первые 2 цифры обозначают диаметр в мм, 3 и 4 цифры – толщину в десятых мм. Например самый распространённый элемент  типоразмера CR 2032 – означает дисковый элемент диаметром 20 мм и толщиной 3,2 мм.

Обычно элементы этого типоразмера применяются для питания BIOS а компьютера, калькуляторах, светодиодном освещения, в пультах дистанционного управления, часах.

Для цилиндрических элементов существует своя международная классификация типоразмеров МЭК.

Если элемент обозначается пятью цифрами – первые две означают диаметр, остальные три – высоту.

К литий - марганцевым элементам часто привариваются различные разъёмы и гибкие коннекторы для установки в различную аппаратуру. Тогда в обозначение добавляются обозначение этих разъемов.  

Замена разъемов обычно не составляет трудностей (единственное требование соединение элемента с помощью точечной сварки). Поэтому в выборе элемента при замене в первую очередь следует руководствоваться химическим составом и типоразменом. 

 Эти химические элементы ни в коем случае нельзя подзаряжать.  Так как химическая реакция заключается в восстановлении диоксида марганца из четырехвалентного состояния в трехвалентное путем внедрения лития в кристаллическую решетку конечного оксида.

Дата: 19.03.2014